NXPLQSC10650Q-HXY

NXPLQSC10650Q-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA。器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。其材料特性支持高频工作，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NXPLQSC10650Q-HXY

商品编号

C53468144

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.424克(g)