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IDH10SG60CXKSA2-HXY

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描述: 该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下的能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统，在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IDH10SG60CXKSA2-HXY
商品编号: C53468146
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.184克(g)

商品参数

参数完善中