IDH10SG60CXKSA2-HXY

碳化硅肖特基二极管，零反向恢复电流和正向恢复电压，高频运行，开关性能不受温度影响，散热要求低

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下的能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统，在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH10SG60CXKSA2-HXY

商品编号

C53468146

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.184克(g)