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UH10JT-E3/4W-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗。其反向漏电流（IR）为60μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换场合，尤其在对热管理与空间布局有较高要求的电力电子系统中表现突出。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: UH10JT-E3/4W-HXY
商品编号: C53468175
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.088克(g)

商品参数

参数完善中