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PNE650100EJ-QJ-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PNE650100EJ-QJ-HXY

碳化硅肖特基二极管,适用于高频应用,具有低导通损耗、低开关损耗和高浪涌电流能力

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描述
该碳化硅二极管为独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.3V,反向漏电流(IR)为50μA,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。其低导通压降与优异的反向阻断能力,使其适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效电能转换系统中,在提升整体效率的同时保持良好的热稳定性。
商品型号
PNE650100EJ-QJ-HXY
商品编号
C53468176
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅二极管
二极管配置-
整流电流30A
正向压降(Vf)-
属性参数值
直流反向耐压(Vr)650V
反向电流(Ir)-
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)80A
工作结温范围-55℃~+175℃

商品概述

该产品系列提供了最先进的性能。它专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

商品特性

  • 由于低VF,导通损耗低
  • 由于微小的QC,开关损耗极低
  • 由于更好的浪涌电流,具有高耐用性
  • 具备工业标准的质量和可靠性

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 功率逆变器
  • 高性能开关电源(SMPS)
  • 功率因数校正

数据手册PDF