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VS8ETX06PBF-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.38V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达88A，展现出良好的瞬态电流承受能力。得益于碳化硅材料特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性，适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: VS8ETX06PBF-HXY
商品编号: C53468163
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.192克(g)

商品参数

参数完善中