VS15ETH06HN3-HXY

VS15ETH06HN3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为15A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，具备较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率、热稳定性和动态响应要求较高的电源转换系统。其碳化硅材料特性支持高频工作，并在高结温条件下保持可靠性能，适合用于高功率密度的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS15ETH06HN3-HXY

商品编号

C53468169

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.148克(g)