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VS15ETH06-N3-HXY

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描述: 该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具有15A的正向电流（IF）和600V的反向重复峰值电压（VR），典型正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度与能效要求较高的电源拓扑结构，在高频整流、开关电源及紧凑型电力转换系统中，有助于减少开关损耗并维持良好的热稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: VS15ETH06-N3-HXY
商品编号: C53468170
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.176克(g)

商品参数

参数完善中