NHPJ08S600G-HXY

NHPJ08S600G-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.4V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）达60A。其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的热稳定性。适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统，尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NHPJ08S600G-HXY

商品编号

C53468173

商品封装

TO-220F-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.64克(g)