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VS8ETX06-N3-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下具备较低的功率损耗；器件可承受88A的非重复浪涌正向电流（IFSM），展现出良好的过载能力。得益于碳化硅材料特性，该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对开关速度和热性能有较高要求的整流与续流应用中表现稳定可靠。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: VS8ETX06-N3-HXY
商品编号: C53468166
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.152克(g)

商品参数

参数完善中