NXPLQSC106506Q-HXY

NXPLQSC106506Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V。其正向压降（VF）典型值为1.5V，在25°C条件下反向漏电流（IR）不超过60μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景，能在高频工作条件下保持较低的开关损耗与稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NXPLQSC106506Q-HXY

商品编号

C53468145

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.072克(g)