PSC1065H-QJ-HXY

PSC1065H-QJ-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）仅为50μA，表现出低导通损耗与优异的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在提升能效的同时有助于减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PSC1065H-QJ-HXY

商品编号

C53468134

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)