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IDK10G65C5XTMA1-HXY实物图
  • IDK10G65C5XTMA1-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IDK10G65C5XTMA1-HXY

碳化硅肖特基二极管,适用于高频应用,具备低导通损耗、低开关损耗和高浪涌电流能力

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描述
该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.3V,反向漏电流(IR)为50μA,并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗,适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。
商品型号
IDK10G65C5XTMA1-HXY
商品编号
C53468136
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅二极管
二极管配置-
整流电流30A
正向压降(Vf)1.5V@10A
属性参数值
直流反向耐压(Vr)650V
反向电流(Ir)50uA@650V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)80A
工作结温范围-55℃~+175℃

商品概述

该产品系列具备先进的性能,专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

商品特性

  • 由于低VF,导通损耗低
  • 凭借微小的QC,开关损耗极低
  • 由于具有更好的浪涌电流,坚固性高
  • 具备工业标准的质量和可靠性

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 功率逆变器
  • 高性能开关电源(SMPS)
  • 功率因数校正

数据手册PDF