PSC1065KQ-HXY

PSC1065KQ-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值为60μA，在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。其特性适合用于高效率电源转换系统，在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PSC1065KQ-HXY

商品编号

C53468141

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.056克(g)