DHG10I600PM-HXY

DHG10I600PM-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景，尤其在高频开关环境中能有效降低损耗并提升系统响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DHG10I600PM-HXY

商品编号

C53468140

商品封装

TO-220F-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.696克(g)