IDT10S60C-HXY

IDT10S60C-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）仅为60μA，表现出优异的导通效率与关断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力达90A，可在高频率开关环境中稳定运行。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高温及高电压条件下仍能维持较低损耗，适用于高频电源、可再生能源转换系统以及对能效和热管理有较高要求的电子装置中的整流与续流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDT10S60C-HXY

商品编号

C53468131

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.156克(g)