PSC1065HJ-HXY

PSC1065HJ-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的导通性能与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于高频开关环境下的可靠运行。基于碳化硅材料特性，器件在高电压、高温条件下仍能保持较低损耗和良好稳定性，常用于高效电源转换、可再生能源系统及对电能效率和热性能有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PSC1065HJ-HXY

商品编号

C53468132

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)