IDH10G65C5XKSA1-HXY

IDH10G65C5XKSA1-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA。器件可承受90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），凭借碳化硅材料特性，具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势，适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH10G65C5XKSA1-HXY

商品编号

C53468129

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.08克(g)