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RFV8TG6SGC9-HXY

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描述: 该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至10μA，具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场景，其快速恢复特性有助于降低开关损耗，提升系统整体效率。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RFV8TG6SGC9-HXY
商品编号: C53468127
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.072克(g)

商品参数

参数完善中