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NVMFS5C450NWFT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备40V的漏源击穿电压（VDSS）、130A的连续漏极电流（ID），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。适用于大电流电源管理、高效DC-DC转换器、电池供电系统及各类需要高效率开关操作的电子设备中，能够在高频开关应用中提供稳定的电气性能和可靠的运行表现。
- 商品型号
- NVMFS5C450NWFT1G-HXY
- 商品编号
- C53262886
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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