IRLH7134TRPBF-HXY

IRLH7134TRPBF-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.8毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持较高的能效与较低的温升。适用于对功率处理能力和热性能要求较高的应用场景，如高效电源系统、电机驱动电路以及高密度电子设备中的功率开关和同步整流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLH7134TRPBF-HXY

商品编号

C53262885

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)