温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLH7134TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.8毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持较高的能效与较低的温升。适用于对功率处理能力和热性能要求较高的应用场景，如高效电源系统、电机驱动电路以及高密度电子设备中的功率开关和同步整流功能。
- 商品型号
- IRLH7134TRPBF-HXY
- 商品编号
- C53262885
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- NVMFS5C450NWFT1G-HXY
- NTMFS5C450NT1G-HXY
- NTMFS5C450NT3G-HXY
- NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY
- ISC080N10NM6ATMA1-HXY
- BSC040N10NS5ATMA1-HXY
- SIR882ADP-T1-GE3-HXY
- IAUCN10S7N074ATMA1-HXY
- CSD19533KCS-HXY
- IRFB4410PBF-HXY
- SIR846ADP-T1-GE3-HXY
- IAUCN10S7N040ATMA1-HXY
- IPP045N10N3GXKSA1-HXY
- FDP045N10A-F102-HXY
- SIR5108DP-T1-RE3-HXY
- SIR516DP-T1-RE3-HXY
- IPP050N10NF2SAKMA1-HXY
- FDMS10C4D2N-HXY
- SIR5102DP-T1-RE3-HXY
- STP120NF10-HXY
- SUP85N10-10-E3-HXY