NVMFS5C450NT3G-HXY

NVMFS5C450NT3G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电池管理系统及电机驱动等应用场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能，适合对能效与可靠性有较高要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C450NT3G-HXY

商品编号

C53262884

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)