FDMS8848NZ-HXY

FDMS8848NZ-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括开关电源、同步整流、电机驱动及高密度功率转换系统，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMS8848NZ-HXY

商品编号

C53262883

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)