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IPW65R190C6FKSA1-HXY
IPW65R190C6FKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压能力与较低的导通损耗，在高频开关应用中表现出良好的效率和热稳定性。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，适用于对功率转换效率和系统紧凑性有较高要求的场合。
- 商品型号
- IPW65R190C6FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133753
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.44克(g)
商品参数
参数完善中
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