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IPW65R190C6FKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压能力与较低的导通损耗，在高频开关应用中表现出良好的效率和热稳定性。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，适用于对功率转换效率和系统紧凑性有较高要求的场合。
- 商品型号
- IPW65R190C6FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133753
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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