IPW65R190CFDFKSA2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和25A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效的开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R190CFDFKSA2-HXY

商品编号

C53133752

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.47克(g)