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IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY
IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备。其宽栅压范围增强了与不同驱动电路的兼容性，并有助于提升系统运行的稳定性与可靠性。
- 商品型号
- IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133751
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.36克(g)
商品参数
参数完善中
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