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IPW65R190C7XKSA1-HXY
IPW65R190C7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，同时支持在较高结温下稳定运行，适合对体积与能效有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- IPW65R190C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133750
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.25克(g)
商品参数
参数完善中
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