GD2X60MPS06N-HXY

GD2X60MPS06N-HXY

描述

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

GD2X60MPS06N-HXY

商品编号

C53133715

商品封装

SOT-227​

包装方式

管装

商品毛重

39.95克(g)