IPP65R190E6XKSA1-HXY

IPP65R190E6XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达800V，导通电阻典型值为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190E6XKSA1-HXY

商品编号

C53133736

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)