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R6524KNZ4C13-HXY
R6524KNZ4C13-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流与800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能和较低的导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。
- 商品型号
- R6524KNZ4C13-HXY
- 商品编号
- C53133743
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.24克(g)
商品参数
参数完善中
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