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SPW20N60C3FKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合，在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SPW20N60C3FKSA1-HXY
商品编号: C53133748
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.32克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，具备低导通电阻与高阻断电压、低电容与高速开关能力以及低反向恢复电荷等特性。这些优势有助于降低开关损耗，提升系统开关频率与功率密度，并减少散热器需求。器件采用TO-247封装，符合无卤素与RoHs标准。