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SPW20N60C3FKSA1-HXY
SPW20N60C3FKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合，在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
- 商品型号
- SPW20N60C3FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133748
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
参数完善中
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