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FCH190N65F-F155-HXY
FCH190N65F-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频电源转换、光伏逆变、储能系统及高效率开关电源等场景。其稳定的电气性能有助于在严苛工作条件下维持高效运行，并简化热管理设计。
- 商品型号
- FCH190N65F-F155-HXY
- 商品编号
- C53133747
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.46克(g)
商品参数
参数完善中
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