MSJW20N65A-BP-HXY

MSJW20N65A-BP-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动条件，有助于提升开关控制的可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作时仍能保持较低的开关与导通损耗，适用于对效率、热管理及功率密度有较高要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJW20N65A-BP-HXY

商品编号

C53133739

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.13克(g)