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碳化硅场效应管(MOSFET)
MSJW20N65A-BP-HXY
商品大图
型号:MSJW20N65A-BP-HXY
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
名称:碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式,具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性,可降低开关损耗、提高开关频率和功率密度
引脚图
此图展示了型号为 MSJW20N65A-BP-HXY 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 MSJW20N65A-BP-HXY 的焊盘布局
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的MSJW20N65A-BP-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。MSJW20N65A-BP-HXY参考售价为10.83元起,现货库存数量10个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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