温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHW22N65E-GE3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其稳定的电气性能支持在紧凑型电力电子设备中实现高效能量管理与热优化设计。
- 商品型号
- SIHW22N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133741
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 212mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IXTH20N65X2-HXY
- R6524KNZ4C13-HXY
- R6524ENZ4C13-HXY
- SPW24N60CFDFKSA1-HXY
- NTHL190N65S3HF-HXY
- FCH190N65F-F155-HXY
- SPW20N60C3FKSA1-HXY
- DIW012N65-HXY
- IPW65R190C7XKSA1-HXY
- IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY
- IPW65R190CFDFKSA2-HXY
- IPW65R190C6FKSA1-HXY
- IPW65R190CFDFKSA1-HXY
- IPW65R190E6FKSA1-HXY
- IPW65R190CFDAFKSA1-HXY
- FCHD190N65S3R0-F155-HXY
- STW21N65M5-HXY
- IXFH18N65X2-HXY
- STF11N65K3-HXY
- STF9N65M2-HXY
- CDMSJ2204.7-650SL-HXY