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SPP20N65C3HKSA1-HXY
SPP20N65C3HKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的开关速度，适用于对效率、体积和热性能有较高要求的电源转换场景，尤其适合高频、高耐压的电力电子系统。
- 商品型号
- SPP20N65C3HKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133735
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.99克(g)
商品参数
参数完善中
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