SPP20N65C3HKSA1-HXY

SPP20N65C3HKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的开关速度，适用于对效率、体积和热性能有较高要求的电源转换场景，尤其适合高频、高耐压的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP20N65C3HKSA1-HXY

商品编号

C53133735

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.99克(g)