STL21N65M5-HXY

STL21N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高电压、高频开关场景中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，可有效提升整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL21N65M5-HXY

商品编号

C53133720

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

0.54克(g)