温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V，支持标准逻辑电平驱动并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133721
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- FCMT180N65S3-HXY
- NTMT190N65S3HF-HXY
- SIHH190N65E-T1-GE3-HXY
- IPL65R200CFD7AUMA1-HXY
- IPL65R190E6AUMA1-HXY
- SPP20N65C3HKSA1-HXY
- MSJW20N65A-BP-HXY
- DIW018N65-HXY
- SIHW22N65E-GE3-HXY
- IXTH20N65X2-HXY
- R6524KNZ4C13-HXY
- R6524ENZ4C13-HXY
- SPW24N60CFDFKSA1-HXY
- NTHL190N65S3HF-HXY
- FCH190N65F-F155-HXY
- SPW20N60C3FKSA1-HXY
- DIW012N65-HXY
- IPW65R190C7XKSA1-HXY
- IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY
- IPW65R190CFDFKSA2-HXY
- IPW65R190C6FKSA1-HXY