温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V，支持标准逻辑电平驱动并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133721
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- FCMT180N65S3-HXY
- NTMT190N65S3HF-HXY
- SIHH190N65E-T1-GE3-HXY
- IPL65R200CFD7AUMA1-HXY
- IPW65R099C6FKSA1-HXY
- IPL65R190E6AUMA1-HXY
- IPW60R099CPFKSA1-HXY
- NTBG015N065SC1-HXY
- NVBG015N065SC1-HXY
- FF06010FA-HXY
- DIW065SIC015-HXY
- STE145N65M5-HXY
- SPP24N60CFDHKSA1-HXY
- SPP20N65C3HKSA1-HXY
- IPP65R190E6XKSA1-HXY
- STP21N65M5-HXY
- SIHP190N65E-GE3-HXY
- MSJW20N65A-BP-HXY
- DIW018N65-HXY
- SIHW22N65E-GE3-HXY
- IXTH20N65X2-HXY