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SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V，支持标准逻辑电平驱动并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133721
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
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