NVBG015N065SC1-HXY

NVBG015N065SC1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有210A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和高温工作能力，适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关响应有助于提升系统整体能效，同时减少散热设计负担，适合对性能和可靠性要求较高的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVBG015N065SC1-HXY

商品编号

C53133730

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1.99克(g)