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DIW065SIC015-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为218A，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和较低的能量损耗。其宽栅压范围提升了与多种驱动电路的适配能力，同时具备良好的热稳定性和高效率表现，适用于对功率处理能力和系统紧凑性要求较高的电力电子应用。
- 商品型号
- DIW065SIC015-HXY
- 商品编号
- C53133732
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 218A | |
| 耗散功率(Pd) | 714W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 268nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 482pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带碳化硅 MOSFET 技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHs 标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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