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SPP24N60CFDHKSA1-HXY
SPP24N60CFDHKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通损耗和良好的开关性能。适用于对效率与热管理有较高要求的电源转换系统，可在高频工作条件下维持稳定运行，满足紧凑型高耐压电路的设计需求。
- 商品型号
- SPP24N60CFDHKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133734
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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