FF06010FA-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复，无卤且符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有189A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对性能和可靠性要求较高的电源管理与能量转换系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FF06010FA-HXY

商品编号

C53133731

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)