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STE145N65M5-HXY
STE145N65M5-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有165A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效，适合用于对性能和可靠性要求较高的电力电子应用场合。
- 商品型号
- STE145N65M5-HXY
- 商品编号
- C53133733
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 41.58克(g)
商品参数
参数完善中
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