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IPW60R099CPFKSA1-HXY
IPW60R099CPFKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持38A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统，可在高工作频率下维持高效运行。
- 商品型号
- IPW60R099CPFKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133728
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.13克(g)
商品参数
参数完善中
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