温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW60R099CPFKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持38A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统，可在高工作频率下维持高效运行。
- 商品型号
- IPW60R099CPFKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133728
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
相似推荐
其他推荐
- NTBG015N065SC1-HXY
- NVBG015N065SC1-HXY
- FF06010FA-HXY
- DIW065SIC015-HXY
- STE145N65M5-HXY
- SPP24N60CFDHKSA1-HXY
- SPP20N65C3HKSA1-HXY
- IPP65R190E6XKSA1-HXY
- STP21N65M5-HXY
- SIHP190N65E-GE3-HXY
- MSJW20N65A-BP-HXY
- DIW018N65-HXY
- SIHW22N65E-GE3-HXY
- IXTH20N65X2-HXY
- R6524KNZ4C13-HXY
- R6524ENZ4C13-HXY
- SPW24N60CFDFKSA1-HXY
- NTHL190N65S3HF-HXY
- FCH190N65F-F155-HXY
- SPW20N60C3FKSA1-HXY
- DIW012N65-HXY