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NTBG015N065SC1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备210A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为11mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，器件在高功率密度和高频开关条件下仍能保持低损耗与优异的热稳定性，适用于对效率、体积和动态响应要求严苛的电源转换系统。
- 商品型号
- NTBG015N065SC1-HXY
- 商品编号
- C53133729
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 耗散功率(Pd) | 714W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 383pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ |
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