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IPW65R099C6FKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为38A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为95mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，适用于多种驱动电路配置，有助于增强开关稳定性并抑制误导通。凭借碳化硅材料的固有优势，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热性能，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- IPW65R099C6FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133726
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
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