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SIHH190N65E-T1-GE3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其电气参数组合使其在高频、高压环境中具有良好的可靠性与控制精度。
- 商品型号
- SIHH190N65E-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133724
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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