SIHH190N65E-T1-GE3-HXY

SIHH190N65E-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其电气参数组合使其在高频、高压环境中具有良好的可靠性与控制精度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHH190N65E-T1-GE3-HXY

商品编号

C53133724

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

0.54克(g)