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IPL65R200CFD7AUMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流额定值和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性并降低误触发风险。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于高频电源转换、可再生能源系统以及高效率电力电子设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- IPL65R200CFD7AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133725
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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