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FCMT180N65S3-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于多种驱动电路配置，并具备良好的开关稳定性。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性，该器件在高频、高效率的电源转换系统中可有效降低损耗，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置中的功率开关应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FCMT180N65S3-HXY
商品编号: C53133722
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.54克(g)

商品参数

参数完善中