FCMT180N65S3-HXY

FCMT180N65S3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于多种驱动电路配置，并具备良好的开关稳定性。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性，该器件在高频、高效率的电源转换系统中可有效降低损耗，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置中的功率开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCMT180N65S3-HXY

商品编号

C53133722

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

0.54克(g)