温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPL65R165CFDAUMA2-HXY
IPL65R165CFDAUMA2-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
- 商品型号
- IPL65R165CFDAUMA2-HXY
- 商品编号
- C53133718
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
参数完善中
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
- STL21N65M5-HXY
- SIHH21N65EF-T1-GE3-HXY
- FCMT180N65S3-HXY
- NTMT190N65S3HF-HXY
- SIHH190N65E-T1-GE3-HXY
- IPL65R200CFD7AUMA1-HXY
- IPL65R190E6AUMA1-HXY
- SPP20N65C3HKSA1-HXY
- MSJW20N65A-BP-HXY
- DIW018N65-HXY
- SIHW22N65E-GE3-HXY
- IXTH20N65X2-HXY
- R6524KNZ4C13-HXY
- R6524ENZ4C13-HXY
- SPW24N60CFDFKSA1-HXY
- NTHL190N65S3HF-HXY
- FCH190N65F-F155-HXY
- SPW20N60C3FKSA1-HXY
- DIW012N65-HXY
- IPW65R190C7XKSA1-HXY