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IPL65R165CFDAUMA2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
- 商品型号
- IPL65R165CFDAUMA2-HXY
- 商品编号
- C53133718
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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