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IPL65R165CFDAUMA1-HXY
IPL65R165CFDAUMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。
- 商品型号
- IPL65R165CFDAUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133717
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
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